三星电子已完成UFS 5.0产品系列开发，是业界首款面向设备端AI优化的通用闪存存储方案。据了解，该产品基于第九代V-NAND闪存技术，遵循JEDEC最新嵌入式存储接口标准，顺序读取与写入速度分别达10.8GB/s和9.5GB/s，较UFS 4.1实现性能翻倍。能效方面，得益于时钟门控与多电压两项新技术的引入，同等数据传输量下功耗降低超40%，其中时钟门控用于切断闲置电路的工作信号，多电压技术则为各电路匹配最优工作电压，二者协同有效抑制功耗与发热。其封装尺寸为7.5mm×13mm×0.9mm，较前代缩小16.7%，最高容量支持1TB，可为旗舰智能手机、XR头显及AI可穿戴设备提供更高的内部空间利用率。三星计划于今年第四季度启动量产，初期供应范围覆盖上述终端市场。原创文章，作者：MoFirLee，如若转载，请注明出处：
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发布于 北京
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