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存储芯片生变,三星市占重返39%登顶
芯闻简讯:存储芯片生变,三星市占重返39%登顶Counterpoint Research最新《全球储存追踪》报告指出,全球DRAM 市场格局正加速洗牌。三星电子第二季市占率持续攀升,重回2024年以来高点;SK海力士则因市占率下滑,与快速追赶的美光 形成激烈竞争。此外,中国DRAM厂长鑫科技高速增长,正为全球存储产业带来新的变数。报告数据指出,三星电子在今年第二季成功拿下全球DRAM市场39%的营收份额,稳居龙头宝座。相比之下,尽管SK海力士第二季营收缴出年增214%的表现,但其市占率却从去年同期的39%骤降至26%;而美光科技的市占率则攀升至25%,悄悄来到海力士身后,双方差距仅剩1个百分点。分析指出,今年第二季传统DRAM价格较上季显著上涨,但高频宽存储(HBM)价格则较去年同期走低。受现有HBM3E产品降价以及HBM4量产延迟影响,HBM平均售价降幅较为明显。随着传统DRAM持续走扬,目前相对较低的HBM价格预计将在2027年迎来大幅上涨,这也成为三星与SK海力士此消彼长的核心原因。Counterpoint研究总监分析说明,SK海力士的出货量与营收中,HBM的占比为竞争对手中最高,因此在HBM价格下跌时受到的冲击较大。此外,海力士较竞争对手更早签署长期协议(LTA),在存储价格上涨的周期中,也间接影响了营收的弹性空间。不过,对SK海力士而言,随着英伟达与AMD新一代旗舰AI机架开始出货,带动HBM4出货量增加,仍具备潜在利多支撑。尽管如此,Counterpoint仍预期美光科技凭借强劲的增长动能,有机会超越SK海力士,跃居全球DRAM第二大厂商。在三大巨头激烈厮杀的同时,中国DRAM龙头长鑫科技以高达716% 年增率,成为全球成长最快的DRAM供应商,引发市场高度关注。随着长鑫的崛起,市场焦点已从“长鑫能否进入全球存储三强”转变为“长鑫何时能够跻身这一阵营”,储存产业的竞争格局预计在一年后将发生显著变化。
发布于 广东
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