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长鑫存储迈入 LPDDR6 风险量化阶段
长鑫存储迈入 LPDDR6 风险量化阶段，推出 12.8Gbps 新一代内存芯片8 月 4 日，据媒体报道，长鑫存储（CXMT）已正式进入最新一代 LPDDR6 内存的风险量产阶段。这一重大进展标志着长鑫存储在芯片制造工艺和技术演进方面，已与三星、SK 海力士以及美光等国际业内巨头站在了同一梯队。首批由长鑫存储晶圆厂生产的 LPDDR6 内存芯片基础速率为 10.7 Gbps，最高运行速度可达 12.8 Gbps，一举接棒此前极速状态下仅能达到 10.7 Gbps 的 LPDDR5X 标准。在规格参数上，长鑫存储本次量产的单颗芯片容量为 16 Gb（相当于 2 GB），内部集成约 1295 个球栅阵列引脚，采用适用于移动设备的 POP（Package-on-Package）封装形式。（cnBeta）
发布于 北京
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