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三星公布全新3D内存路线图
三星公布全新3D内存路线图，AI存储密度有望提十倍财联社8月5日电，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型产品。三星还展示了其称业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型，该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据，其性能约为下一代HBM5的八倍。不同于传统HBM与AI处理器并列封装的方式，三星的zHBM会将存储垂直堆叠于AI加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，同时将能源效率提高3倍，并将热阻降低一半以上。
发布于 北京
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