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1. 台积电宣布其美国亚利桑那州Fab 21A工厂4纳米产能提升至每月3万片，并已启动N3E 3纳米工艺的试产线安装，计划年底前为苹果及AMD生产高性能芯片。2. 三星电子宣布成功开发全球首款24Gb DDR6内存颗粒，采用12纳米级工艺，速率高达12.8Gbps，能效提升25%，已向英特尔及AMD送样，计划2027年用于AI PC及服务器。3. 华为海思发布面向中端手机的麒麟8000E平台，采用5纳米工艺，集成自研达芬奇NPU及5G基带，支持星闪3.0，预计将搭载于年底发布的nova 14系列。4. SK海力士宣布其HBM5内存已通过英伟达B300平台认证，采用16层混合键合堆叠，单堆栈64GB，带宽3.2TB/s，将在利川工厂扩产，2027年下半年开始大规模供货。5. 高通推出骁龙X Elite Gen3 PC平台，采用4纳米自研Oryon架构，12核CPU，集成45TOPS NPU，能效比苹果M5高出8%，微软Surface Pro 11将首发搭载。6. AMD发布Radeon PRO W9900专业显卡，采用3纳米RDNA 5架构，配备48GB HBM4显存，支持8K实时渲染，计划2027年2月上市，面向影视制作与科学可视化领域。7. 意法半导体宣布其重庆8英寸碳化硅工厂月产能提升至2万片，车规级MOSFET已批量供货给比亚迪及特斯拉，并开始建设12英寸衬底中试线，以应对电动汽车市场需求。8. 博通发布Tomahawk 7交换芯片，采用3纳米工艺，支持256个800G端口，总交换容量102.4Tbps，功耗降低35%，2027年将向思科及Arista供货，用于超大规模AI网络。9. 中芯国际公布第二季度业绩，28纳米及以上制程营收占比超70%，N+2 7纳米工艺良率突破92%，已获得博通及国内AI芯片公司的射频与推理加速卡代工订单。10. Rapidus宣布获得日本政府追加5000亿日元补贴，其北海道2纳米试产线良率突破70%，正与丰田、电装联合开发自动驾驶AI芯片，目标2028年实现量产。
发布于 广东
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