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1. 台积电宣布3纳米N3E工艺产能突破月产12万片晶圆，获联发科天玑9400与高通骁龙8 Gen6增强版追加订单，并启动台南Fab 18厂三期扩建，预计2027年将N3系列总产能推至18万片。2. 三星电子推出全球首款32Gb容量DDR7内存工程样品，采用10纳米级工艺，速率达16Gbps，能效较DDR6提升30%，已向英特尔及AMD送样，计划2028年用于服务器与AI PC。3. 英特尔发布至强6 Sierra Forest-AP处理器，基于Intel 3工艺，最高288个能效核，功耗200瓦，集成AMX矩阵加速器，云原生性能提升2.5倍，第三季度向AWS、谷歌云出货。4. 英伟达推出Jetson Orin Nano Super嵌入式AI模组，算力达100TOPS，功耗仅15瓦，支持Transformer与生成式AI，面向工业机器人及自主移动平台，即日向开发者社区供货。5. AMD发布Instinct MI400X计算卡，采用3纳米CDNA 5架构与192GB HBM4E内存，FP8算力3.5 PetaFLOPS，内存带宽8TB/s，专为万亿参数大模型推理设计，2027年初向云客户交付。6. 高通推出骁龙AR3 Gen2空间计算平台，基于4纳米制程，集成独立视觉NPU，支持16K 120Hz显示及实时空间映射，功耗仅2.5瓦，联想及XREAL将首批搭载轻量级AR眼镜。7. 华为海思发布巴龙6100 6G试验基带芯片，采用5纳米工艺，支持100GHz以上太赫兹频段，峰值速率突破80Gbps，已与国内运营商开展技术试验，为6G标准化提供验证平台。8. SK海力士宣布12层堆叠HBM4E内存开始为客户送样，采用铜混合键合技术，单堆栈64GB，带宽1.8TB/s，能效较HBM4提升35%，计划2027年底配套英伟达下一代训练GPU。9. 中芯国际宣布28纳米射频SOI工艺实现规模量产，良率稳定在98%以上，已获高通及Qorvo射频前端芯片订单，月产能扩至3万片，有效支撑5G终端与物联网射频需求。10. 苹果公司自研A21仿生芯片在台积电2纳米N2C工艺成功流片，集成8性能核与4能效核，Geekbench多核跑分突破2万，预计2027年搭载于iPhone 20系列，能效较A20提升40%。
发布于 广东
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