燕青
『讨论墙：HBM4价格明年有望翻倍，产能瓶颈与长期合同加剧供应紧张，您怎么看？』据 DigiTimes 上周五报道，业内人士透露，下一代 HBM4 的价格有望升至每Gb 4至5 美元甚至更高，而2026年下半年的价格约为每Gb 2美元。此次价格上涨主要源于：●HBM4 极其复杂的制造工艺。HBM4 的生产周期长达 4 至 6 个月，而且初期良率明显低于成熟产品。●生产 HBM 所消耗的晶圆产能约为普通 DDR5 DRAM 的三倍，这意味着在现有产能条件下，内存厂商能够生产的 HBM 数量受到严重限制。●供应紧张的局面还因长期供货协议进一步加剧。三星电子、SK 海力士和美光等存储巨头，正通过与顶级AI客户签署为期3至5年的长期合同，提前锁定全球HBM产能。DigiTimes 认为：●随着越来越多 DRAM 产能转向 HBM，再加上长期合同占用，到 2027 年，全球约一半 DRAM 产能将无法向中小客户供应。●与此同时，英伟达即将推出的 Rubin AI 架构正在加速 HBM4 的导入。●不过，存储厂商也面临新的利润取舍。由于今年服务器 DDR5内存价格持续上涨，部分厂商的 DDR5 利润率已超80%，这使得内存制造商只有在 HBM 能够带来更高利润的情况下，才愿意将生产线从传统 DRAM 转向HBM。因此，他们也将推动 HBM 维持更高的售价，以弥补转换产线带来的机会成本。此外，资本市场方面，这种长期供不应求的格局预计将继续支撑存储板块股价表现：●SK 海力士当天通过美国存托凭证ADR正式登陆纳斯达克，这是公司历史上首次在美国上市交易。本次发行规模高达 265 亿美元，且 ADR 的交易价格甚至高于其韩国首尔上市股票，显示投资者依然高度看好 AI 存储市场的发展前景。●AI 热潮已经推动多家存储企业股价大幅上涨。其中，美光Micron累计上涨超过 700%；闪迪SanDisk上涨超过 3800%；SK 海力士上涨超过 630%；三星电子上涨超过 360%。因此，DigiTimes预计存储厂商将在 2026 年底的新一轮供货合同谈判中继续掌握绝对的定价主动权，而没有提前签订长期供货协议的消费电子厂商，则可能面临严重的缺货风险。
发布于 上海
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