FOCMCU |富鸿创芯
芯闻简讯：美光广岛HBM新工厂奠基，预计2028年出货存储芯片企业美光科技正推进日本广岛工厂扩建，全球存储器企业围绕人工智能（AI）存储器制造基地的扩产竞争持续升温。据报道，美光已于当地时间 7 月4日举行日本广岛工厂扩建项目动工仪式。该项目投资规模为1.5万亿日元，约合94.8亿美元，629.75亿元人民币。美光计划在现有广岛工厂新建制造厂房，用于生产HBM等AI存储器芯片，预计相关产品将于2028年夏季前后开始出货。日本政府也在加大支持力度。据悉，日本经济产业省已安排最高5000亿日元资金，用于支持广岛工厂建设成本。 外界认为，日本此举是希望借助美光这一在日本运营唯一DRAM制造基地的企业，确保本土拥有先进存储器生产基地。AI存储器供应紧张是此次投资的重要背景。美光近期判断，存储器供应短缺短期内难以缓解，并正在加快相关投资。美光首席执行官Sanjay Mehrotra近期表示，2023年存储器价格大幅下跌，以及客户要求降价的压力，削弱了行业投资能力。他解释称，当时存储器市场环境恶化导致资本开支下降，其后续影响造成了当前的供需失衡。除日本外，美光也在美国加快扩充生产设施。公司目前正在爱达荷州博伊西建设一座先进生产设施，同时还计划在纽约州锡拉丘兹市附近推进大规模DRAM生产设施投资。
发布于 广东
分享
评论
赞
未登录
友善发言
评论
加载中
