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07-03 · 富鸿创芯
数据分析
三星Q3 存储器DRAM价格或上调20%
芯闻简讯:三星电子Q3 存储器DRAM价格或上调20%业内人士透露,三星电子目前正与客户协商,目标是将2026年第三季度DRAM平均售价(ASP)较上一季度提高至多20%。业内人士表示,虽然价格上涨速度此后可能会放缓,但高利润的趋势将持续到明年。由于全球大型科技公司大力投资人工智能基础设施,DRAM价格呈现大幅上涨趋势。这是因为各种DRAM的供应短缺问题日益加剧,不仅影响服务器DRAM和高带宽内存(HBM),也影响在人工智能推理领域日益重要的低功耗DRAM(LPDDR)。尤其值得注意的是,三星电子的DRAM平均售价增长幅度远超SK海力士。业内人士认为,这是因为通用DRAM价格波动较大,且在总产量中占比很高,而三星电子在提价方面最为积极。事实上,三星电子第一季度DRAM平均售价较上一季度上涨90%左右。预计第二季度涨幅将在50%~60%之间。此外,该公司计划第三季度涨幅约20%。而HBM产能占比相对较高的SK海力士,预计其涨幅将略低于三星。半导体行业人士表示:“三星电子在今年第三季度的价格谈判中依然非常积极。据了解,他们计划将LPDDR的价格提高20%以上,LPDDR近期在服务器和移动市场都遇到严重的瓶颈。然而,目前还无法确定客户公司是否会完全接受这些涨价。”预计DRAM价格未来将保持稳定。尽管DRAM价格上涨的步伐正在逐步放缓,但与主要客户签署的长期协议(LTA)比例却在稳步上升。业内人士解释说:“由于长期协议(LTA)的价格下限扩大以及HBM价格的重新谈判,DRAM市场明年不会出现大幅下滑。”
发布于 广东
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