宋朝霞
一、海外大厂新品与生态合作6 月 22 日｜英飞凌 ×AWS 推出车载 MCU 云端仿真平台平台支持新一代 RISC-V 车规 MCU，无需硬件样机即可完成功能验证，大幅缩短整车软件开发周期，三季度面向车企客户开放，适配软件定义汽车全域开发需求。6 月 29 日｜NXP 发布 SAF8444 入门级雷达 SoC主打 L2/L2 + 低成本 ADAS，优化功耗与散热，大幅降低经济型电动车毫米波雷达硬件成本，加速高阶辅助驾驶下沉至 10 万级家用车型。6 月下旬｜三菱五代沟槽 SiC MOSFET 送样车企面向 800V 电驱逆变器，导通电阻较上代降低 25%，海外厂商加速沟槽 SiC 迭代，与国内 SiC 企业形成直接竞争36氪。二、涨价周期全面落地，成本压力传导整车7 月 1 日，TI、英飞凌年内第二轮涨价正式执行，车规模拟、功率器件涨幅 15%-85%；国内功率晶圆企业同步调价 15%-25%，国产厂商不再被动跟随海外定价。存储芯片供需持续紧张，3-6 月车规 DRAM 整体涨幅 180%，高端 DDR5 现货暴涨 300%，单车存储成本增加 7000-10000 元，十余家新能源车企上调终端售价、收紧终端优惠。核心矛盾为 AI 服务器抢占先进存储产能，车规认证周期长，短期供给缺口无法缓解36氪。行业机构预判，全年涨价周期延续，整车价格战进入尾声，车企转向高配置、高算力差异化竞争。三、第三代半导体封装与产线布局行业报告显示，SiC 模块银烧结封装渗透率突破 58%，双面冷却、转模塑封成为主流方案，散热性能提升 3 倍，模块功率输出提升 15%，适配高压平台长期发展需求。韩国敲定第三代半导体路线图，加码 SiC/GaN 产线升级；三星三季度推出车规 SiC 样品，发力沟槽 MOSFET，依托存储制造优势争夺功率市场份额。国内 5.6 亿汽车功率封测项目落地成都，完善 SiC 后端制造链条。四、国产芯片与车企自研加速落地6 月 30 日行业观点指出，2026 年为国内车企自研智驾芯片收获大年：比亚迪 4nm 璇玑 A3 量产、理想马赫 M100 下半年装车、蔚来神玑芯片交付超 25 万颗、小鹏图灵芯片获大众定点，头部车企通过自研对冲供应链涨价风险。
发布于 天津
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