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1. 英伟达宣布下一代数据中心GPU平台“Vera Ultra”将于2028年面世，首次采用自研Arm架构CPU与GPU一体化设计，FP4算力达50 ExaFLOPS，将采用台积电1.4纳米制程与HBM5内存。2. 三星电子宣布在龟尾工厂建成全球首条12英寸硅基氮化镓射频芯片量产线，工艺节点0.15微米，面向5G毫米波基站与低轨卫星通信，月产能1.2万片，已获爱立信、诺基亚订单。3. 高通发布骁龙XR4 Gen2平台，采用4纳米制程，集成独立AI感知处理器，支持16K 240Hz显示与眼动追踪，专为苹果Vision Pro竞品设计，首款设备2027年由三星与HTC推出。4. 美光科技宣布在日本广岛投资80亿美元建设1γ制程DRAM新厂，获日本政府补贴三分之一，将引入EUV光刻，生产下一代低功耗内存，计划2029年投产，月产能10万片。5. 博通与谷歌云联合推出首款基于7纳米制程的智能网卡定制芯片“Maple”，集成24个Arm核心与800Gbps网络处理能力，用于谷歌分布式云与AI推理负载卸载，已大规模部署。6. 恩智浦半导体发布全球首款5纳米车规级5G-V2X通信芯片SX6000，支持C-V2X与DSRC双模，满足3GPP R18标准，已获宝马、丰田下一代车型定点，2028年装车。7. 中芯国际披露N+2工艺进入风险试产，面向高性能计算与移动SoC，性能较14纳米提升60%，采用深紫外光刻与自对准多重图案化技术，多家客户已启动IP移植与验证。8. 阿里平头哥推出倚天710C服务器CPU，基于5纳米工艺，128核Arm v9架构，SPECint性能较前代提升55%，支持DDR5与CXL 3.0，面向阿里云原生数据库与AI推理场景部署。9. 北京君正发布X2600多核异构物联网处理器，集成双核RISC-V与安防ISP，待机功耗低于0.1毫瓦，支持端侧语音AI与图像识别，已获萤石、小米智能家居产品设计导入。10. 东京电子宣布开发成功全球首台300mm晶圆级碳纳米管FET成膜设备，采用低温化学气相沉积工艺，兼容GAA结构，适用于1纳米级逻辑芯片制造，2029年向客户交付样机。
发布于 广东
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