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芯闻简讯：三星电子推出UFS 5.0闪存，读写带宽相较UFS 4.1翻倍2026年6月23日，三星电子对外发布官方消息，正式推出通用闪存存储UFS 5.0产品系列。官方披露，UFS 5.0基于三星第九代V-NAND（V9）闪存技术打造，产品研发全程围绕端侧本地AI运行需求完成专项优化，适配终端设备大模型高速加载、海量数据实时读写场景。该产品最高数据传输带宽可达10.8GB/s，对应顺序读取速度10.8GB/s，顺序写入速度9.5GB/s。对比前代UFS 4.1产品，整体传输带宽实现翻倍提升，可缩短本地大语言模型、AI图像视频运算的数据加载耗时，降低运行延迟。产品遵循JEDEC发布的UFS 5.0行业标准，在功耗与封装尺寸层面同步完成优化。通过时钟门控、多电压调控两项技术，同等数据传输量下功耗较UFS 4.1降低40%以上；封装规格为7.5mm×13mm×0.9mm，体积相比前代缩小16.7%，设备厂商可利用腾出的内部空间扩容电池、影像模组或散热结构，产品最高支持1TB存储容量规格。三星存储器事业部同步披露量产规划，计划在2026年第四季度启动UFS 5.0规模化量产，下游适配场景覆盖旗舰智能手机、扩展现实头显、智能AI可穿戴终端。公开产业信息显示，2026年2月JEDEC正式发布UFS 5.0标准化规范，三星、铠侠、SK海力士同步推进对应产品研发，本次三星为行业首家推出完整商用UFS 5.0方案的存储厂商。
发布于 广东
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