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1. 国家集成电路产业投资基金三期宣布出资120亿元战略入股上海微电子装备，支持其28纳米浸没式光刻机规模化量产，并启动14纳米以下节点光刻机技术预研，加速关键设备国产替代进程。2. 台积电在北美技术研讨会披露1.4纳米A14制程细节，采用碳纳米管pFET与二维材料沟道，性能较N2提升20%，功耗降30%，计划2029年风险试产，瞄准高性能计算与移动旗舰。3. SK海力士宣布HBM5内存完成验证，采用铜混合键合与16层堆叠，单堆栈容量64GB，带宽达3.2TB/s，I/O速率12Gbps，专为2028年下一代AI训练集群设计，功耗降低35%。4. 英特尔发布Gaudi 4 AI加速器，采用5纳米制程，FP8算力达2.8 PetaFLOPS，集成128GB HBM3E，支持24个400GbE端口，性能较Gaudi 3提升3倍，已获戴尔、联想等服务器厂商订单。5. 苹果宣布A20仿生芯片实现3纳米N3X工艺下8GHz超高主频，GPU光追性能翻倍，配备升级版16核神经网络引擎，为Apple Vision Pro 3的空间计算与AI交互深度优化。6. 华虹半导体启动科创板二次上市辅导，拟募资180亿元扩建无锡12英寸特色工艺产线，加码功率器件与CIS图像传感器芯片产能，满足新能源汽车及工业市场需求。7. 超微半导体证实Instinct MI500系列采用X3D SoIC堆叠，9个5纳米计算芯粒与4个6纳米I/O芯粒集成，支持HBM5，目标2028年交付，挑战英伟达在超算中心的绝对优势。8. 长电科技与中芯国际合建面板级扇出封装中试线，采用600mm×600mm基板，相较于传统晶圆级方案生产效率提升4倍，一期规划月产能5000片，年底安装设备。9. 三安光电8英寸碳化硅衬底厂实现全自动长晶量产，缺陷密度降至0.08个每平方厘米，年产能120万片，已向博世、意法半导体等客户批量供货，同步研发12英寸衬底。10. Arm发布Cortex-X7超大核架构，主频目标4.2GHz，单核性能较X6提升30%，采用全新10发射乱序流水线，专为3纳米旗舰手机及高性能笔记本设计，高通与联发科首批授权。
发布于 广东
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