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1. 英伟达在ISC 2026大会上发布GB300 NVL144液冷机柜方案，单柜集成144颗Blackwell Ultra GPU与72颗Grace CPU，总算力突破1 ExaFLOPS，采用NVSwitch 5互连，专为万亿参数大模型训练设计，2027年下半年交付。2. 三星电子宣布第二代3纳米GAA工艺良率突破85%，功耗较初代再降20%，已获得高通骁龙8 Gen6与特斯拉FSD 3.0芯片订单，今年第四季度在韩国华城园区率先量产。3. 日本政府正式批准向Rapidus追加1.2万亿日元补贴，用于北海道千岁工厂2纳米试产线设备采购及人才培训，累计政府投入已超4万亿日元，目标2028年实现量产。4. 博通推出首款支持PCIe 7.0的物理层芯片，采用5纳米工艺，单通道速率达128GT/s，面向AI服务器高速互连，已向戴尔、超微等OEM送样，预计2027年规模商用。5. 联发科发布面向Chromebook的Kompanio 1200处理器，采用4纳米制程，集成8核Arm Cortex-X5架构CPU与5G调制解调器，AI算力40TOPS，宏碁、联想预计年内推出相关产品。6. 长鑫存储宣布16Gb DDR5内存芯片通过英特尔和AMD双平台验证，速率达6400Mbps，面向消费级PC与服务器市场，已向惠普、联想等客户量产出货，良率超90%。7. 意法半导体发布第三代碳化硅沟槽MOSFET，导通电阻降至0.8mΩ，开关损耗较上一代降低30%，目标800V电动汽车电驱平台，已获宝马、蔚来新一代电驱系统定点。8. 国家市场监管总局批准紫光集团重组方案，智路建广联合体完成注资，紫光展锐、紫光国微等芯片业务保留独立运营，重点发展5G通信芯片与车规级安全芯片。9. 恩智浦推出S32N77超级集成域控制器芯片，采用5纳米车规工艺，集成32个ARM Cortex-R82实时内核与50TOPS NPU，支持整车中央计算架构，2028年搭载于大众新一代SSP平台车型。10. 北方华创发布首台国产高能离子注入机，能量覆盖3MeV，束流达10mA，用于IGBT与碳化硅器件深阱掺杂，已在华虹半导体12英寸产线完成工艺验证并获批量订单。
发布于 广东
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