Ben
1. 台积电21日宣布位于新竹宝山Fab 20厂的2纳米N2C工艺启动风险试产，采用GAA纳米片晶体管与背面供电，性能较3纳米提升15%，功耗降低25%，目标2027年下半年量产，面向AI芯片客户。2. 英特尔发布酷睿Ultra 9 390HX移动处理器，基于Intel 18A制程，集成8性能核与16能效核及NPU 5.0，AI算力60TOPS，支持LPDDR6与PCIe 6.0，华硕、戴尔同步推出AI PC新品。3. SK海力士宣布321层1Tb TLC 4D NAND闪存通过数据中心客户认证，采用三堆栈技术，存储密度较上代提升45%，将在清州M15X工厂量产，主打企业级SSD与AI存储。4. AMD推出锐龙AI Max 395+处理器，基于Zen 6架构，12核24线程，集成XDNA 3 NPU，AI算力85TOPS，功耗仅28W，支持Windows 12 Copilot+体验，联想、惠普下月上市。5. 高通发布第四代骁龙Ride Flex Pro平台，采用4纳米车规工艺，单颗SoC集成座舱、ADAS与自动泊车，内置Transformer加速引擎，2027年搭载于通用及丰田车型。6. 美光科技推出HBM4 Gen2内存，基于1β DRAM工艺与12层堆叠，单堆栈48GB，带宽2.4TB/s，能效提升25%，为AMD Instinct MI500系列优化，2027年下半年供货。7. ASML向三星华城园区交付第三台High-NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200，数值孔径0.55，用于2纳米GAA工艺开发，三星预计2027年导入量产。8. 应用材料发布Olympus ALD系统，专攻GAA晶体管高k介电层与金属栅极原子层沉积，膜厚控制精度±0.1埃，已获台积电和三星的批量订单。9. 中芯国际宣布28纳米嵌入式MRAM工艺进入风险量产，存储单元面积缩小30%，支持车规温度，已向国内外MCU及物联网芯片公司送样，下半年小批量供货。10. 华为海思发布昇腾620 AI训练处理器，采用7纳米增强工艺，FP16算力800TFLOPS，支持HBM3E与多卡互联，能效比前代提升2倍，面向万卡级大模型训练。
发布于 广东
1
评论
赞
未登录
友善发言
评论
加载中
